型号:DP9502E
封装:ESOP8
MOSFET(内阻/耐压/电流):5.8R/500V/1.5A
OTP保护:120℃
OVP保护:无
极限参数(VIN:176-264V):220mA/160V
型号:DP9502E
封装:ESOP8
MOSFET(内阻/耐压/电流):5.8R/500V/1.5A
OTP保护:120℃
OVP保护:无
极限参数(VIN:176-264V):220mA/160V
型号:DP9502E
封装:ESOP8
MOSFET(内阻/耐压/电流):5.8R/500V/1.5A
OTP保护:120℃
OVP保护:无
极限参数(VIN:176-264V):220mA/160V