Status ：Active
Polarity ：Single-N
Type ：GaN FET
Package ：DFN88
VDS [V] ：900
ID [A] ：10
RDS(ON) [mΩ] Typ. ：120
RDS(ON) [mΩ] Max. ：165
VTH [V] Min. ：0.9
VTH [V] Typ. ：1.25
VTH [V] Max. ：2.5
Ciss [pF] ：78
Coss [pF] ：21
Crss [pF] ：0.46
td(on) [nS] ：5
tr [nS] ：10
td(off) [nS] ：16
tf [nS] ：11
Qg [nC] ：2.6
Qgs [nC] ：0.5
Qgd [nC] ：0.65
EAS [mJ] ：-
TRR [ns] ：-
PD [W] ：-
Built-in ESD ：No
TJ Max. ：150
Qualification ：Standard
