Status ：Active
Polarity ：Single-N
Type ：GaN FET
Package ：DFN88
VDS [V] ：900
ID [A] ：5
RDS(ON) [mΩ] Typ. ：235
RDS(ON) [mΩ] Max. ：320
VTH [V] Min. ：0.9
VTH [V] Typ. ：1.3
VTH [V] Max. ：2.5
Ciss [pF] ：39
Coss [pF] ：11.8
Crss [pF] ：0.24
td(on) [nS] ：40
tr [nS] ：20
td(off) [nS] ：39
tf [nS] ：90
Qg [nC] ：1.6
Qgs [nC] ：0.3
Qgd [nC] ：0.38
EAS [mJ] ：-
TRR [ns] ：-
PD [W] ：-
Built-in ESD ：No
TJ Max. ：150
Qualification ：Standard
