Status ：In development
Polarity ：Single-N
Type ：GaN FET
Package ：DFN56
VDS [V] ：700
ID [A] ：10
RDS(ON) [mΩ] Typ. ：120
RDS(ON) [mΩ] Max. ：140
VTH [V] Min. ：1
VTH [V] Typ. ：1.4
VTH [V] Max. ：1.7
Ciss [pF] ：90
Coss [pF] ：25
Crss [pF] ：0.9
td(on) [nS] ：5
tr [nS] ：10
td(off) [nS] ：16
tf [nS] ：11
Qg [nC] ：2.6
Qgs [nC] ：0.5
Qgd [nC] ：0.65
EAS [mJ] ：
TRR [ns] ：
PD [W] ：
Built-in ESD ：No
TJ Max. ：150
Qualification ：Standard
