Status ：Active
Polarity ：Single-N
Type ：GaN FET
Package ：DFN56
VDS [V] ：700
ID [A] ：5
RDS(ON) [mΩ] Typ. ：300
RDS(ON) [mΩ] Max. ：380
VTH [V] Min. ：0.9
VTH [V] Typ. ：1.35
VTH [V] Max. ：2.5
Ciss [pF] ：39
Coss [pF] ：11.8
Crss [pF] ：0.24
td(on) [nS] ：5
tr [nS] ：10
td(off) [nS] ：16
tf [nS] ：11
Qg [nC] ：1.1
Qgs [nC] ：0.21
Qgd [nC] ：0.26
EAS [mJ] ：-
TRR [ns] ：-
PD [W] ：-
Built-in ESD ：No
TJ Max. ：150
Qualification ：Standard
